BSM180D12P2C101 - MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9144 Pieces
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Especificações para BSM180D12P2C101
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : BSM180D12P2C101
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 10V
Potência - Max : 1130W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : -
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para BSM180D12P2C101
Folhas de dados : BSM180D12P2C101.pdf
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