ISL9R860S3ST - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
510735 Pieces
Preço de referência
USD 0.54933
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Especificações para ISL9R860S3ST

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : ISL9R860S3ST
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263-2
Series : Stealth™
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 2.4V @ 8A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB (D²PAK)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : ISL9 , ISL9R8

Documentos para ISL9R860S3ST

Folhas de dados : ISL9R860S3ST.pdf

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