SI3475DV-T1-GE3 - MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Número da peça de fabricante

SI3475DV-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SI3475DV-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

51912 Pieces

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Especificações para SI3475DV-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI3475DV-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 950mA (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.61 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 3.2W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP

Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI347 , SI3475D

Documentos para SI3475DV-T1-GE3

Folhas de dados : SI3475DV-T1-GE3.pdf

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