SI4866DY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
415520 Pieces
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Especificações para SI4866DY-T1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI4866DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
600mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI4866DY-T1-GE3
Folhas de dados :
SI4866DY-T1-GE3.pdf
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