FQAF10N80 - MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF

Número da peça de fabricante

FQAF10N80

Número de peça interno

AX-FQAF10N80

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

8924 Pieces

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Especificações para FQAF10N80

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FQAF10N80

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF

Series : QFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.7A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 3.35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 113W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PF

Pacote / caso : TO-3P-3 Full Pack

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FQA , FQAF

Documentos para FQAF10N80

Folhas de dados : FQAF10N80.pdf

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