MSRT20060(A)D - DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9552 Pieces
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Especificações para MSRT20060(A)D
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : MSRT20060(A)D
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Series : -
Status da Peça : Active
Configuração de diodo : 1 Pair Series Connection
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) : 200A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 200A
Rapidez : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Three Tower
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para MSRT20060(A)D
Folhas de dados : MSRT20060(A)D.pdf
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