STH110N10F7-6 - MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

Número da peça de fabricante

STH110N10F7-6

Número de peça interno

AX-STH110N10F7-6

Fabricante

STMicroelectronics

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

62145 Pieces

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Especificações para STH110N10F7-6

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : STH110N10F7-6

Fabricante : STMicroelectronics

Descrição : MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

Series : DeepGATE™, STripFET™ VII

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5117pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : H2PAK-6

Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : STH1 , STH110

Documentos para STH110N10F7-6

Folhas de dados : STH110N10F7-6.pdf

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