FDD7N60NZTM - MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-FDD7N60NZTM
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
722950 Pieces
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Especificações para FDD7N60NZTM
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : FDD7N60NZTM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
Series : UniFET-II™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 730pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 90W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para FDD7N60NZTM
Folhas de dados : FDD7N60NZTM.pdf
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