IPI80CN10N G - MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3

Número da peça de fabricante

IPI80CN10N G

Número de peça interno

AX-IPI80CN10N G

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

51750 Pieces

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Especificações para IPI80CN10N G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPI80CN10N G

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 12µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 716pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 31W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO262-3

Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPI8 , IPI80C

Documentos para IPI80CN10N G

Folhas de dados : IPI80CN10N G.pdf

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Número da peça	Marca	Descrição
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