BSZ180P03NS3EGATMA1 - MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1825445 Pieces
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Especificações para BSZ180P03NS3EGATMA1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
BSZ180P03NS3EGATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta), 39.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 48µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2220pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TSDSON-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para BSZ180P03NS3EGATMA1
Folhas de dados :
BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf
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