RCD100N19TL - MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-RCD100N19TL
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1012130 Pieces
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Especificações para RCD100N19TL
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : RCD100N19TL
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 190V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : CPT3
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para RCD100N19TL
Folhas de dados : RCD100N19TL.pdf
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