IRFHM8363TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1214560 Pieces
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Especificações para IRFHM8363TRPBF
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IRFHM8363TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Series : HEXFET®
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1165pF @ 10V
Potência - Max : 2.7W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IRFHM8363TRPBF
Folhas de dados : IRFHM8363TRPBF.pdf
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