IPB039N10N3GE8187ATMA1 - MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Número da peça de fabricante

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Número de peça interno

AX-IPB039N10N3GE8187ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

279385 Pieces

Preço de referência

~~USD 1.004202~~

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Especificações para IPB039N10N3GE8187ATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPB039N10N3GE8187ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 160µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 117nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8410pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 214W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-7

Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPB039N , IPB039N10N3

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Folhas de dados : IPB039N10N3GE8187ATMA1.pdf

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