IPB039N10N3GE8187ATMA1 - MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
279385 Pieces
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Especificações para IPB039N10N3GE8187ATMA1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
160A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 160µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
117nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8410pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
214W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO263-7
Pacote / caso :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Links Relacionados :
IPB039N , IPB039N10N3
Documentos para IPB039N10N3GE8187ATMA1
Folhas de dados :
IPB039N10N3GE8187ATMA1.pdf
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