RQ3E120GNTB - MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Número da peça de fabricante

RQ3E120GNTB

Número de peça interno

AX-RQ3E120GNTB

Fabricante

Rohm Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

3047290 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.09207~~

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Especificações para RQ3E120GNTB

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : RQ3E120GNTB

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 16W (Tc)

Temperatura de operação : 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSMT (3.2x3)

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : RQ3 , RQ3E1

Documentos para RQ3E120GNTB

Folhas de dados : RQ3E120GNTB.pdf

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