IPT60R102G7XTMA1 - MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
157875 Pieces
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Especificações para IPT60R102G7XTMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPT60R102G7XTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8
Series : CoolMOS™ G7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 390µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1320pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 141W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-HSOF-8-2
Pacote / caso : 8-PowerSFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPT60R102G7XTMA1
Folhas de dados : IPT60R102G7XTMA1.pdf
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