W987D2HBJX7E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
238060 Pieces
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Especificações para W987D2HBJX7E TR
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
W987D2HBJX7E TR
Fabricante :
Winbond Electronics
Descrição :
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo de memória :
Volatile
Formato de memória :
DRAM
Tecnologia :
SDRAM - Mobile LPSDR
Tamanho da memória :
128Mb (4M x 32)
Freqüência do relógio :
133MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página :
15ns
Tempo de acesso :
5.4ns
Interface de memória :
Parallel
Tensão - fonte :
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação :
-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
90-TFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
90-VFBGA (8x13)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para W987D2HBJX7E TR
Folhas de dados :
W987D2HBJX7E TR.pdf
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