M471B1G73EB0-YMA - DDR3 SODIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 16 EOL
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Fabricante
Descrição breve
DDR3 SODIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 16 EOL
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
79095 Pieces
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Especificações para M471B1G73EB0-YMA
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : M471B1G73EB0-YMA
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descrição : DDR3 SODIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 16 EOL
Series : DDR3
DDR : DDR3
Tipo de DIMM : SODIMM
Densidade : 8 GB
Terminou x Org. : 2R x 8
Rapidez : 1866 Mbps
Voltagem : 1.35 V
Número de Pin : 204
Composição componente : (512M x 8) x 16
Status do produto : EOL
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para M471B1G73EB0-YMA
Folhas de dados : M471B1G73EB0-YMA.pdf
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