IPB80N06S2L11ATMA2 - MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Número da peça de fabricante

IPB80N06S2L11ATMA2

Número de peça interno

AX-IPB80N06S2L11ATMA2

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

660290 Pieces

Preço de referência

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Especificações para IPB80N06S2L11ATMA2

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPB80N06S2L11ATMA2

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 93µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2075pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 158W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-3-2

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPB80N , IPB80N06S

Documentos para IPB80N06S2L11ATMA2

Folhas de dados : IPB80N06S2L11ATMA2.pdf

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