SIS322DNT-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Número da peça de fabricante

SIS322DNT-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SIS322DNT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1832310 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.15312~~

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Especificações para SIS322DNT-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIS322DNT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 38.3A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21.5nC @ 10V

Vgs (máx.) : +20V, -16V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIS32 , SIS322DN

Documentos para SIS322DNT-T1-GE3

Folhas de dados : SIS322DNT-T1-GE3.pdf

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