IPB180N06S4H1ATMA1 - MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Número da peça de fabricante

IPB180N06S4H1ATMA1

Número de peça interno

AX-IPB180N06S4H1ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

9880 Pieces

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Especificações para IPB180N06S4H1ATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPB180N06S4H1ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 21900pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 250W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO263-7-3

Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPB180 , IPB180N06

Documentos para IPB180N06S4H1ATMA1

Folhas de dados : IPB180N06S4H1ATMA1.pdf

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