SI7100DN-T1-E3 - MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
4552 Pieces
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Especificações para SI7100DN-T1-E3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI7100DN-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3810pF @ 4V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI7100DN-T1-E3
Folhas de dados :
SI7100DN-T1-E3.pdf
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