SQJ912BEP-T1_GE3 - MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
763795 Pieces
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Especificações para SQJ912BEP-T1_GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SQJ912BEP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 25V
Potência - Max :
48W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8 Dual
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SQJ912BEP-T1_GE3
Folhas de dados :
SQJ912BEP-T1_GE3.pdf
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