RJK2009DPM-00#T0 - MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
17232 Pieces
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Especificações para RJK2009DPM-00#T0
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
RJK2009DPM-00#T0
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3PFM
Pacote / caso :
TO-3PFM, SC-93-3
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para RJK2009DPM-00#T0
Folhas de dados :
RJK2009DPM-00#T0.pdf
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