IRF6662TR1PBF - MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
8999 Pieces
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Especificações para IRF6662TR1PBF
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
IRF6662TR1PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1360pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DIRECTFET™ MZ
Pacote / caso :
DirectFET™ Isometric MZ
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para IRF6662TR1PBF
Folhas de dados :
IRF6662TR1PBF.pdf
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