BUK9E1R6-30E,127 - MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Número da peça de fabricante

BUK9E1R6-30E,127

Número de peça interno

AX-BUK9E1R6-30E,127

Fabricante

NXP USA Inc.

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

24745 Pieces

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Especificações para BUK9E1R6-30E,127

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : BUK9E1R6-30E,127

Fabricante : NXP USA Inc.

Descrição : MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Series : TrenchMOS™

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 113nC @ 5V

Vgs (máx.) : ±10V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 16150pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 349W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK

Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : BUK9E , BUK9E1R6

Documentos para BUK9E1R6-30E,127

Folhas de dados : BUK9E1R6-30E,127.pdf

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