EGL34BHE3_A/I - DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3661185 Pieces
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Especificações para EGL34BHE3_A/I
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
EGL34BHE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição :
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Series :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Atual - Média Retificada (Io) :
500mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 500mA
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
50ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F :
7pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
DO-213AA (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DO-213AA (GL34)
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para EGL34BHE3_A/I
Folhas de dados :
EGL34BHE3_A/I.pdf
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