APTM100DA18CT1G - MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
52452 Pieces
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Especificações para APTM100DA18CT1G
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
APTM100DA18CT1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Series :
POWER MOS 8™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
570nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
14800pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
657W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP1
Pacote / caso :
SP1
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para APTM100DA18CT1G
Folhas de dados :
APTM100DA18CT1G.pdf
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