SIHB22N60ET1-GE3 - MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
208745 Pieces
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Especificações para SIHB22N60ET1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SIHB22N60ET1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Series :
E
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1920pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
227W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SIHB22N60ET1-GE3
Folhas de dados :
SIHB22N60ET1-GE3.pdf
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