K4A4G165WE-BITD - 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
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Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
129520 Pieces
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Especificações para K4A4G165WE-BITD
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : K4A4G165WE-BITD
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descrição : 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Series : DDR4
Densidade : 4 Gb
Org. : 256M x 16
Rapidez : 2666 Mbps
Voltagem : 1.2 V
Temp. : -40 ~ 95 °C
Pacote : 96FBGA
Status do produto : Mass Production
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para K4A4G165WE-BITD
Folhas de dados : K4A4G165WE-BITD.pdf
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