TPN4R203NC,L1Q - MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1117070 Pieces
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Especificações para TPN4R203NC,L1Q
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TPN4R203NC,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Series : U-MOSVIII
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1370pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta), 22W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TPN4R203NC,L1Q
Folhas de dados : TPN4R203NC,L1Q.pdf
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