RGL41MHE3_A/I - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3036405 Pieces
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Especificações para RGL41MHE3_A/I
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : RGL41MHE3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Series : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Atual - Média Retificada (Io) : 1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 500ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacitância @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-213AB, MELF (Glass)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-213AB
Temperatura de funcionamento - junção : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para RGL41MHE3_A/I
Folhas de dados : RGL41MHE3_A/I.pdf
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