APT25GP120BDQ1G - IGBT 1200V 69A 417W TO247
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
IGBT 1200V 69A 417W TO247
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
40980 Pieces
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Especificações para APT25GP120BDQ1G
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : APT25GP120BDQ1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : IGBT 1200V 69A 417W TO247
Series : POWER MOS 7®
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 69A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 90A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 25A
Potência - Max : 417W
Energia de comutação : 500µJ (on), 440µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 110nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 12ns/70ns
Condição de teste : 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : -
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247 [B]
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para APT25GP120BDQ1G
Folhas de dados : APT25GP120BDQ1G.pdf
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