SIHB12N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
205090 Pieces
Preço de referência
USD 1.368
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Especificações para SIHB12N60E-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SIHB12N60E-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 937pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 147W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : SIHB , SIHB12N

Documentos para SIHB12N60E-GE3

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