IRF9910TRPBF - MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-IRF9910TRPBF
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
873605 Pieces
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Especificações para IRF9910TRPBF
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
IRF9910TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.3 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para IRF9910TRPBF
Folhas de dados :
IRF9910TRPBF.pdf
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