DMG7N65SJ3 - MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Número da peça de fabricante

DMG7N65SJ3

Número de peça interno

AX-DMG7N65SJ3

Fabricante

Diodes Incorporated

Descrição breve

MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

485195 Pieces

Preço de referência

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Especificações para DMG7N65SJ3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : DMG7N65SJ3

Fabricante : Diodes Incorporated

Descrição : MOSFET BVDSS 501V 650V TO251

Series : Automotive, AEC-Q101

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.5A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 886pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 125W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-251

Pacote / caso : TO-251-3, IPak, Short Leads

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : DMG , DMG7N

Documentos para DMG7N65SJ3

Folhas de dados : DMG7N65SJ3.pdf

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