RS1JLHRTG - DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
10002285 Pieces
Preço de referência
USD 0.02805
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Especificações para RS1JLHRTG

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : RS1JLHRTG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 800mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 250ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Sub SMA
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : RS1 , RS1J

Documentos para RS1JLHRTG

Folhas de dados : RS1JLHRTG.pdf

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