MT47H512M4THN-25E:M - IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
57700 Pieces
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Especificações para MT47H512M4THN-25E:M
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : MT47H512M4THN-25E:M
Fabricante : Micron Technology Inc.
Descrição : IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo de memória : Volatile
Formato de memória : DRAM
Tecnologia : SDRAM - DDR2
Tamanho da memória : 2Gb (512M x 4)
Freqüência do relógio : 400MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página : 15ns
Tempo de acesso : 400ps
Interface de memória : Parallel
Tensão - fonte : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operação : 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem : -
Pacote / caso : -
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para MT47H512M4THN-25E:M
Folhas de dados : MT47H512M4THN-25E:M.pdf
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