ESH2BHE3_A/I - DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
2914525 Pieces
Preço de referência
USD 0.096264
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Especificações para ESH2BHE3_A/I

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : ESH2BHE3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrição : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
Atual - Média Retificada (Io) : 2A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 930mV @ 2A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 25ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : DO-214AA, SMB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : ESH2 , ESH2BH

Documentos para ESH2BHE3_A/I

Folhas de dados : ESH2BHE3_A/I.pdf

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