IXFH80N65X2-4 - MOSFET N-CH
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
55182 Pieces
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Especificações para IXFH80N65X2-4
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IXFH80N65X2-4
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 890W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-4L
Pacote / caso : TO-247-4
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IXFH80N65X2-4
Folhas de dados : IXFH80N65X2-4.pdf
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