TPAR3J S1G - DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-TPAR3J S1G
Fabricante
Descrição breve
DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1931615 Pieces
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Especificações para TPAR3J S1G
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TPAR3J S1G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Avalanche
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Atual - Média Retificada (Io) : 3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 3A
Rapidez : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 120ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F : 58pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-277, 3-PowerDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TPAR3J S1G
Folhas de dados : TPAR3J S1G.pdf
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