NP100P04PDG-E1-AY - MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
12584 Pieces
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Especificações para NP100P04PDG-E1-AY
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
NP100P04PDG-E1-AY
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
320nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
15100pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para NP100P04PDG-E1-AY
Folhas de dados :
NP100P04PDG-E1-AY.pdf
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