IXFH7N100P - MOSFET N-CH
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-IXFH7N100P
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
72865 Pieces
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Especificações para IXFH7N100P
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
IXFH7N100P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH
Series :
HiPerFET™, Polar™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2590pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para IXFH7N100P
Folhas de dados :
IXFH7N100P.pdf
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