SICRB101200TR - DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
79700 Pieces
Preço de referência
USD 3.520026
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Especificações para SICRB101200TR

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SICRB101200TR
Fabricante : SMC Diode Solutions
Descrição : DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo de Diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Atual - Média Retificada (Io) : 10A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Rapidez : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F : 640pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Temperatura de funcionamento - junção : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : SICR , SICRB1

Documentos para SICRB101200TR

Folhas de dados : SICRB101200TR.pdf

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