CSD25304W1015 - MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
2395525 Pieces
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Especificações para CSD25304W1015
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : CSD25304W1015
Fabricante : Texas Instruments
Descrição : MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Series : NexFET™
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.15V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 595pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 750mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-DSBGA
Pacote / caso : 6-UFBGA, DSBGA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para CSD25304W1015
Folhas de dados : CSD25304W1015.pdf
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