TK9P65W,RQ - MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-TK9P65W,RQ
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
594310 Pieces
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Especificações para TK9P65W,RQ
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
TK9P65W,RQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
560 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 350µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 300V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
80W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para TK9P65W,RQ
Folhas de dados :
TK9P65W,RQ.pdf
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