NVD5867NLT4G - MOSFET N-CH 60V DPAK
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-NVD5867NLT4G
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 60V DPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
23506 Pieces
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Especificações para NVD5867NLT4G
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
NVD5867NLT4G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V DPAK
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta), 22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
675pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.3W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para NVD5867NLT4G
Folhas de dados :
NVD5867NLT4G.pdf
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