SI5515CDC-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1313680 Pieces
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Especificações para SI5515CDC-T1-E3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI5515CDC-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.3nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
632pF @ 10V
Potência - Max :
3.1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
1206-8 ChipFET™
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI5515CDC-T1-E3
Folhas de dados :
SI5515CDC-T1-E3.pdf
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