BSM180D12P3C007 - SIC POWER MODULE
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
SIC POWER MODULE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9097 Pieces
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Especificações para BSM180D12P3C007
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
BSM180D12P3C007
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
SIC POWER MODULE
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 50mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Potência - Max :
880W
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para BSM180D12P3C007
Folhas de dados :
BSM180D12P3C007.pdf
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