PSMN165-200K,518 - MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
8959 Pieces
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Especificações para PSMN165-200K,518
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
PSMN165-200K,518
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
165 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1330pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para PSMN165-200K,518
Folhas de dados :
PSMN165-200K,518.pdf
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