EPC2010 - GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-EPC2010
Fabricante
Descrição breve
GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
10080 Pieces
Preço de referência
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Especificações para EPC2010
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : EPC2010
Fabricante : EPC
Descrição : GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE
Series : eGaN®
Status da Peça : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 5V
Vgs (máx.) : +6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Die
Pacote / caso : Die
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para EPC2010
Folhas de dados : EPC2010.pdf
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